孟谦结束演讲后，大会也就进入了产品和技术的展示环节，而紧跟着孟谦走上今天主舞台的，是大风半导体的梁梦松。
梁梦松走上舞台的时候，手里直接拿着一块芯片。
“这两天都在传IBM将会断供上古电脑芯片的事情，我看到很多人都在问我们怎么办。
这就是我们的回答。”
梁梦松把芯片拿起来，大屏幕上出现了芯片的照片，以及相应的注释：全球第一颗8nm电脑CPU。
现场一阵骚动，梁梦松很淡定的说道，“我们的8nm处理器，采用的是最新的EUV光刻技术。”
很简单的一句话，却把很多事情都表达清楚了。
8nmCPU的面世，首先肯定是工艺领先的一个表现，毕竟现在其他几家都还没有冲破10nm这个关卡。
其次，因为梁梦松确认使用了EUV光刻技术，那就说明了EUV光刻技术的可靠性，而且EUV光刻技术的实用一旦突破了最开始的瓶颈，后面就会越走越顺，至少到5nm会比较顺利。
果不其然，梁梦松非常肯定的表示，公司今年主推8nm处理器，明年就会量产7nm处理器，2019年年底前就开始量产5nm处理器。
内部产业链的优势再次展现，工艺之战，大风半导体的领先地位更稳了。
而以此作为对芯片断供的回应也确实再恰当不过，虽然CPU天梯图的最顶端依然没有大风集团的名字，但是工艺的领先可以一定程度上弥补其他方面的差距。
除非英特尔和IBM能迅速赶上大风集团的工艺水平，但现在来看不太可能。
然而当大家都以为大风集团解决了高端电脑芯片断供的问题时，梁梦松让大家意识到，大风集团不仅仅只是为了解决问题。
因为在介绍完最新的处理器后，梁梦松接着说道，“在今天这个现场，除了全球首颗可量产8nm处理器外，我们还将展示我们最新的半导体发展新规划。
刚才我已经说过，我们将在明年年初实现7nm量产，在2019年年底前实现5nm量产，实际研发生产比我们当年的蓝图提前了半年左右。
这是大家共同努力的结果，而到了2017年的现在，我们的半导体发展蓝图也要再往前推进一步。
2019年后，我们的目标就是5nm之下，而现在让我们感到兴奋的是，就在上个月，我们的3nm研发取得了巨大突破，我们已经在实验室内实现了3nm测试，预计2021年可实现3nm量产。”
整个现场都炸了，包括整个半导体市场同样疯狂了。
2017年完成3nm实验室测试，并且确定要在2021年量产，这是要把英特尔甩的看不到车尾灯的节奏啊。
所以难免有人会有质疑，而梁梦松接下去对于3nm技术的一个介绍，打破了很多的人质疑。
当然，大风集团在2017年实现3nm实验，这里面自然少不了孟谦的功劳。
历史上最早实现3nm实验室测试的是比利时微电子研究中心，时间是2018年，大风集团早了一年。
而孟谦做的最重要的一件事情依然是给了大家一个坚定的方向，这就减少了很多走弯路的时间。
芯片第一次被大众认为到了极限，是22nm的时候，当时突破这一极限靠的就是3D晶体管结构的出现，也就是当时大风半导体一举在半导体市场名声大噪的时候。
而芯片的第二个大众认为的极限就5nm，一个隧穿效应被传的几乎人尽皆知，以至于2016年的时候出现了只要在网上说一句芯片能突破5nm就会被一群人用隧穿效应来怼的情形，虽然这里面大部分人应该都不知道隧穿效应到底是啥。
直到台积电确认了3nm的突破，那些人才终于闭麦，事实上隧穿效应是真的，不管是22nm的极限和5nm的极限论也都是真的，前提是结构不变。
22nm的突破靠的是结构的突破，5nm的突破同样靠的是结构的突破，某种意义上来说3nm其实是指晶体管密度等同于3nm线宽时可以达到的极限而实现3nm的等效结果，并不是真正意义上的3nm线宽。
曾经的台积电是这样，现在的大风半导体也是这样。
但是因为能实现同等效果，那就称其为3nm处理器，硬要说，也没毛病。
所以当整个行业在纠结22nm怎么突破的时候，孟谦坚定的让员工去搞3D晶体管。
同理，当行业在讨论5nm之后是不是要用新材料的时候，孟谦告诉员工们材料研发当然要做，所以包括纳米片，纳米线，高迁移率通道，碳纳米管等都在进行实验。
同时，继续突破结构是另一条必走的路。
因为坚定的投入和坚定的研发，自然就能走的比别人快一些。
梁梦松在现场提出了一个全新的概念，3D复合结构。
孟谦因为2020年前挂了所以并没看到台积电的3nm详解，但大风半导体的3nm路线跟台积电的3nm还挺相似，这可能是大风半导体坚持FinFET晶体管这条路线的必然走势。
所谓的3D复合结构，其实就是一个综合封装技术，在原本就很挤的空间里再腾出一点地方来。
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